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          臺積電3nm細節公布!2.5億晶體管/mm2 能耗性能大飛躍

          來源:中關村在線 作者: 更新時間:2020/4/21 10:24:25

          摘要:近日據悉,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm2!

            近日據悉,臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節詳情,其晶體管密度達到了破天荒的2.5億/mm²!

          臺積電3nm細節公布!2.5億晶體管/mm2 能耗性能大飛躍

            臺積電3nm細節公布!2.5億晶體管/mm2 能耗性能大飛躍

            作為參考,采用臺積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶體管密度103億,平均下來是0.9億/mm²,3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。

            這個密度具體比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。

            臺積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。

            臺積電還表示,3nm工藝研發符合預期,并沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。

            臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。

            但臺積電老對手三星則押寶3nm節點翻身,所以進度及技術選擇都很激進,將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環繞柵極晶體管。

            責任編輯:張華

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